Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
Abstract
Sifat optik lapisan diukur dengan spektrofotometer UV-Visible pada suhu kamar, hasilnya menunjukkan bahwa transmitansi rata-rata lapisan adalah 85,5% dalam rentang panjang gelombang (350∼1100) nm. Indeks bias lapisan yang diperoleh meningkat dengan bertambahnya konsentrasi doping Al2O3 dan menurun pada konsentrasi 3%. Sifat listrik lapisan tipis ZnO:Al ditentukan dengan metode I-V, dan hasilnya menunjukkan bahwa resistivitas listrik sebesar (108± 4) × 10−6 m telah diperoleh pada konsentrasi doping Al2O3 2%.
Keywords
Full Text:
PDFReferences
M. Komuna, Film Deposition by Plasma Techniques
(Springer-Verlag, New York, USA, 1991).
M. Ohring, The Materials Science of Thin Films (Academic
Press Inc, Harcourt Brace Jovanovich, Boston, 1992).
F. C. M. V. D. Pol, J. Ceramic Bulletin 69, 741 (1990).
W.Wilson, Study of Transparent Conducting ZnO Grown by
Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Its Applications
to Amorphous Silicon Solar Cell (Dissertation, Tokyo Institute of Technology, Japan, 1994).
K. Wasa and S. Hayakawa, Handbook of Sputter Deposition
Technology, Principles, Technology and Applications
(Noyes Publications, Osaka, Japan, 1992).
T. Minami, Appl. Phys. Lett. 41 (1982).
M. K. Puchert, J. Applied Physics 14 (1996).
K. L. Chopra, Thin Solid Films 280, 20 (1996).
M. Jin, Thin Solid Films 357 (1999).
DOI: http://dx.doi.org/10.12962/j24604682.v1i1.1001
Refbacks
- There are currently no refbacks.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.