Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-Si:H tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD

Abstract

Telah berhasil dideposisi lapisan tipis a-Si:H tipe p-biasa dan tipe p-delta menggunakan PECVD dengan pada temperatur 270◦C, tekanan 530mTorr, Laju gas SiH4 = 20 sccm, H2 = 70 sccm, B2H6 = 2 sccm. Lapisan pdelta berstruktur p-i-p menghasilkan ketebalan rata-rata p-delta 198,7 nm dan rata-rata p-tipis 89,7 nm. Sampel dibiarkan dalam ruangan terbuka sehingga warna permukaan sampel tidak homogen. Ketidak-homogenan sampel diuji melalui ketebalan menggunakan ellipsometer dan diamati perubahan band gap menggunakan UV-Vis serta pengukuran konduktivitas dengan metode coplanar kemudian dilihat perbandingan kedua besaran tersebut pada lapisan p-biasa dengan p-delta. Hasilnya, ketebalan lapisan p-biasa cenderung homogen yakni 98,8nm,
sedangkan lapisan p-delta bervariasi antara 165,1 - 219,7 nm. Pengukuran band gap cenderung homogen dengan nilai tertinggi 1,60 eV untuk tipe p-biasa dan 1,74 eV untuk tipe p-delta. Pengukuran konduktivitas listrik juga cenderung homogen dengan konduktivitas tertinggi saat gelap dan saat terang berturut-turut 0,71 S/cm dan 1,01 S/cm untuk struktur p-biasa serta 0.39 S/cm dan 0,35 S/cm untuk struktur p-delta.