Analisis Mikrostruktur thin film ZnO pada Si dan thin film ZnO pada Cu

Abstract

Telah dilakukan analisa mikrostruktur dari thin film ZnO pada substrat Si dan Cu. thin film dibentuk dengan menggunakan teknik berbasis laser yang dikenal dengan Pulsed Laser Deposition (PLD). Laser yang digunakan dalam pembentukan thin film adalah laser Nd-YAG pulsa dengan panjang gelombang 532 nm, energi 75 mJ dan frekuensi 10 Hz. Substrat (Si dan Cu) dan sampel (pelet ZnO) diletakkan pada ruang vakum pada tekanan 5 Torr, dengan iradiasi laser selama 5 menit (3000 shoots). thin film yang dihasilkan berbentuk lapisan-lapisan seperti pelangi dengan bagian tengah berwarna putih. thin film kemudian dikarakterisasi dengan menggunakan SEM
EDX pada tiga titik yang berbeda yaitu titik tengah, titik kiri dan titik kanan. Hasil SEM menunjukkan bahwa thin film mempunyai lapisan ZnO tidak merata. Hasil lapisan menunjukkan lapisan paling banyak dibagian tengah yang berwarna putih dibandingkan di bagian kiri dan kanan . Dimana prosentase massa Si dibagian tengah 0%, Zn (31,33%) dan massa O (20,56%). Sedangkan prosentase massa Si dibagian kiri (82,1%) lebih besar dibandingkan massa Zn (3,81%) dan massa O (8,6%). Dan pada titik kanan komposisi Si juga lebih besar dengan massa (83,26%) dibandingkan Zn (3,55%) dan massa O (8,38%). Hal yang sama juga ditunjukkan pada
lapisan ZnO pada substrat Cu. Dimana prosentase massa Cu dibagian tengah lebih kecil (5,39%) dibandingkan prosentase massa Zn (40,66%) dan massa O (16,66%). Sedangkan pada titik kiri prosentase massa Cu lebih besar (91,43%) dibandingkan massa Zn (1,8%) dan massa O (3,81%). Dan pada titik kanan massa Cu memilki prosentase lebih besar (81,59%) dibandingkan massa Zn (2,61%) dan massa O (4,82%).