Penumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan

Abstract

Penelitian mengenai penumbuhan silikon nanowire (SiNW) telah dilakukan dengan mengunakan metode Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). Katalis yang digunakan yaitu logam perak (Ag). Penggunaan nano katalis perak dalam penelitian ini dibatasi seberat 0,025 gram. Nanokatalis perak tersebut dideposisi pada substrat gelas dengan cara evaporasi dalam keadaan vakum untuk membentuk lapisan tipis
Ag pada substrat. Hasil penumbuhan nanokatalis dilakukan karakterisasi SEM dan EDX dengan hasil logam perak yang di-annealing selama satu jam menghasilkan pulau-pulau Ag berukuran dominan 70-80 nm. Ag yang di-annealing selama satu jam kemudian digunakan untuk penumbuhan silikon nanowire. Sebagai gas carier digunakan gas silant SiH4 dengan precursor silikon dengan kecepatan alir 70 sccm dan daya rf 8 watt. Variasi optimasi dilakukan pada parameter tekanan 100, 200, 300 dan 400 mTorr. SEM dan EDX dilakukan untuk
mengkarakterisasi silikon nanowire. Dari hasil SEMdan EDX, tekanan deposisi 100 mTorr dapat menghasilkan silikon nanowire dengan rasio penumbuhan yang tinggi. Diameter silikon nanowire diperoleh 70-120 nm dan panjang silikon nanowire 200-5000 nm.