Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-Si:H

Abstract

Lapisan a-Si:H dideposisikan dalam substrat corning gelas eagle XG di PECVD dengan parameter deposisi: temperatur substrat 270C, tekanan 530 mTorr, laju aliran silan SiH4 20 sccm, aliran hidrogen 70 sccm dalam waktu 30 menit, diperoleh ketebalan lapisan sekitar 437,2 nm. Kontak belakang Al, Ag, Al/Ag dideposit dalam evaporator MVSystem dengan tekanan vakum 5,0.10−6 torr, sekitar (5 - 10) detik. Plot grafik menggunakan pengukuran data transmisi dari sampel dengan monokromator pada panjang gelombang 400-750 nm pada kisaran 10 nm dalam temperatur kamar 28,5C. Sampel diukur dengan mengkondisikan sudut datang dan sudut bias mendekati normal (i r 0). Peningkatan faktor optis m a-Si:H/Al=1,563 - 1,635, m a-Si:H/Ag = 1,584 - 1,616, dan m a-Si:H/Al/Ag = 2,932 - 3,016. Pengaruh kontak belakang f(RB) a-Si:H/Al = 1,1531 - 1,1581, f(RB) a-Si:H/Ag = 1,1552 - 1,1603, f(RB) a-Si:H/Al/Ag = 1,1573 - 1,1625. Pengumpulan muatan model optis QE a-Si:H/Al = 0,8361 - 0,8723, QE a-Si:H/Ag = 0,8362 - 0,8739, QE a-Si:H/Al/Ag = 0,8387 -
0,8755.