Studi Karakteristik I-V Sel Surya p-i-n Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-Si:H)

Suprianto Suprianto; Eddy Yahya; Darminto Darminto

doi:10.12962/j24604682.v7i2.905

Studi Karakteristik I-V Sel Surya p-i-n Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-Si:H)

Suprianto Suprianto, Eddy Yahya, Darminto Darminto

Abstract

Telah dideposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi dengan tehnik Plasma Enhanced Chemical Vapor deposition (PECVD) dengan daya RF sebesar 5 watt. Selanjutnya lapisan a-Si:H yang terbentuk diaplikasikan sebagai lapisan-i divais sel surya p-i-n. Hasil pengukuran karakteristik I-V dibawah penyinaran 24,7 mW/cm2 pada luas 1 cm2 menunjukkan nilai VOC dan ISC masing-masing 0,568 volt dan 2,71 mA/cm2. Sedangkan
pada luas 0,25 cm2 diperoleh nilai VOC dan ISC masing-masing 0,449 volt dan 6,58 mA/cm2 dengan effisiensi 5,31%.

Keywords

sel surya p-i-n; silikon amorf; karakteristik I-V

Full Text:

PDF

References

W.E. Spear dan P.G. LeComber, Solid State Commun, Vol 17, No 1193 (1975).

R.A. Street, Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge University Press,1991).

Alexander Fridman, Plasma Chemistry (Cambridge University Press,2008).

Thamrin, M. Rusli, Penentuan Energi Gap Optik Lapisan

”Amorf Si - Berhidrogen” p,i,n PECVD (Plasma Enhanched

Chemical Vapor Deposition) Dengan Menggunakan Alat Spectroskopi Infra Merah, Tesis, Magister Tehnik Fisika, Institut Teknologi Sepuluh November, Surabaya(2004).

Yahya, E., Agung Budiono, Zulkifli, Pembuatan Sel Surya

Lapisan Tipis a-Si:H Struktur p-i-n dengan Plasma Enhanced

Chemical Vapor Deposition (PECVD), Laporan Penelitian, Institut Teknologi Sepuluh November, Surabaya(2003).

Ida Usman, Fabrikasi Divais Sel Surya p-i-n Berbasis c-Si:H dengan Tehnik VHF PECVD, Tesis Magister Fisika, Institut teknologi Bandung (2007).

DOI: http://dx.doi.org/10.12962%2Fj24604682.v7i2.905