Studi Karakteristik I-V Sel Surya p-i-n Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-Si:H)
Abstract
pada luas 0,25 cm2 diperoleh nilai VOC dan ISC masing-masing 0,449 volt dan 6,58 mA/cm2 dengan effisiensi 5,31%.
Keywords
Full Text:
PDFReferences
W.E. Spear dan P.G. LeComber, Solid State Commun, Vol 17, No 1193 (1975).
R.A. Street, Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge University Press,1991).
Alexander Fridman, Plasma Chemistry (Cambridge University Press,2008).
Thamrin, M. Rusli, Penentuan Energi Gap Optik Lapisan
”Amorf Si - Berhidrogen” p,i,n PECVD (Plasma Enhanched
Chemical Vapor Deposition) Dengan Menggunakan Alat Spectroskopi Infra Merah, Tesis, Magister Tehnik Fisika, Institut Teknologi Sepuluh November, Surabaya(2004).
Yahya, E., Agung Budiono, Zulkifli, Pembuatan Sel Surya
Lapisan Tipis a-Si:H Struktur p-i-n dengan Plasma Enhanced
Chemical Vapor Deposition (PECVD), Laporan Penelitian, Institut Teknologi Sepuluh November, Surabaya(2003).
Ida Usman, Fabrikasi Divais Sel Surya p-i-n Berbasis c-Si:H dengan Tehnik VHF PECVD, Tesis Magister Fisika, Institut teknologi Bandung (2007).
DOI: http://dx.doi.org/10.12962%2Fj24604682.v7i2.905
Refbacks
- There are currently no refbacks.