Optimasi Sifat-Sifat Fisis Lapisan Tipis a-SiGe:H dengan Metoda HW-Cell-PECVD

d Adisaputra; Satwiko Sidopekso; T. Winata

doi:10.12962/j24604682.v5i1.931

Optimasi Sifat-Sifat Fisis Lapisan Tipis a-SiGe:H dengan Metoda HW-Cell-PECVD

d Adisaputra, Satwiko Sidopekso, T. Winata

Abstract

Metode Hot Wire Cell PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis amorf silikon germanium terhidrogenasi (a-SiGe:H). Lapisan tipis a-SiGe:H ditumbuhkan di atas gelas corning 7059 pada temperatur filamen 800C. Campuran gas silan (SiH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) dan german (GeH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Dalam metode hot wire cell PECVD, gas reaktan didekomposisi dengan filamen tungsten panas yang diletakkan diluar kedua elektroda dan paralel dengan sistem gas masukan. Dan ditumbuhkan juga dengan metoda PECVD
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)sebagai pembanding. Dari hasil karakterisasi diperoleh bahwa
laju deposisi meningkat dari 0,31 ˙A/s sampai 1,31 ˙A/s dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 200 sampai
500 mTorr. Celah pita optik meningkat dari 1,42 eV sampai 1,65 eV dengan meningkatnya meningkatnya tekanan deposisi dari 200 sampai 500 mTorr. Dengan sensitivitas penyinaran pada orde 105, lebih baik dari metoda PECVD yang memiliki nilai maksimal 1.33x104.

Keywords

a-SiGe:H; Sensitivitas; Hot Wire Cell PECVD

Full Text:

PDF

References

Takahasi, K and Konagai, M. Amorphous Silicon Solar Cell (North Oxford Academic Publisher Ltd. London, 1986)

Usman, Ida. Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi Dengan Teknik HWC-VHF-PECVD dan Aplikasinya Pada Divais Sel Surya, Disertasi Doktoral ITB, 2006

Street, R.A. Hydrogenated Amorphous Silikon (Cambridge University Press, Cambridge, 1991)

Amiruddin, S., Usman, I., Mursal, Winata, T. & Sukirno, Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD, PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, (2005)

Shima, M., Isomura, M., Maruyama, E., Okamoto, S., Haku,H., Wakisaka, K., Kiyama, S. & Tsuda, Investigation of Hydrogenated Amorphous Siliocon Germanium Fabricated under High Hidrogen Dilution and Low Deposition Temperature Condition for Stable Solar Cell, Journal Applied Physics, vol.37, Japan (1998)

DOI: http://dx.doi.org/10.12962%2Fj24604682.v5i1.931