Preparasi Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Metode HWC-VHF-PECVD pada Variasi Daya rf
Abstract
sccm. Dalam HWC-VHF-PECVD elemen pemanas terintegrasi pada sistem gas masukan serta peningkatan frekuensi pembangkit daya rf dari 13,56 MHz menjadi 70 MHz. Pada parameter penumbuhan tersebut diharapkan mendapatkan lapisan tipis a-Si:H yang lebih baik.
Keywords
Full Text:
PDFReferences
Takahasi, K and Konagai, M., Amorphous Silicon Solar
Cell(Nort Oxford Academic Publisher Ltd. London, 1986).
Street, R. A., Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge University press, Cambridge, 1991).
Winata, T dan Ida, U., The Influence of Silane Gas Flow Rate on Optoelectronic Properties of c-Si:H Prepared by HWC-VHFPECVD Technique, Jurnal Sains ITB. Vol 40 A No. 2, 2008: 130-137 (2008).
Usman, Ida, Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogensisasi dengan Teknik HWC-VHF-PECVD dan Aplikasinya Pada Devais Sel Surya, Disertasi Doktoral ITB, 2006.
Swanepoel, R. et al.,Journal Applied Physics, 10, (1993)
Abdullah, M dan Khairurrijal, Karakterisasi Nanomaterial. Laboratorium Sintesis Fungsional Nanomaterial ITB. Jurnal Nanosains & Nanoteknologi. Vol 2 No. 1 Februari (2009).
DOI: http://dx.doi.org/10.12962/j24604682.v5i2.941
Refbacks
- There are currently no refbacks.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.