Preparasi Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Metode HWC-VHF-PECVD pada Variasi Daya rf

Abstract

Metode Hot Wire Cell Very High Frequency PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) adalah metode pengembangan dari PECVD konvensional dan merupakan metode gabungan antara VHF-PECVD dan HWC-PECVD. Pada metode ini diharapkan mendapatkan laju deposisi yang tinggi, konduktivitas yang tinggi serta kandungan hidrogen yang rendah. Lapisan tipis a-Si:H dideposisi dengan gas Silan (SiH4) 10% dalam gas Hidrogen (H2) dan ditumbuhkan di atas substrat gelas corning 7059 pada variasi daya 10-50 Watt, temperatur substrat 275C, tekanan chamber 300 mTorr, Temperatur filament 800C serta laju aliran gas SiH4 sebesar 70
sccm. Dalam HWC-VHF-PECVD elemen pemanas terintegrasi pada sistem gas masukan serta peningkatan frekuensi pembangkit daya rf dari 13,56 MHz menjadi 70 MHz. Pada parameter penumbuhan tersebut diharapkan mendapatkan lapisan tipis a-Si:H yang lebih baik.