Pengaruh Luas Kontak pada Kualitas MSM pGaSb
Abstract
Dalam tulisan ini film tipis semikonduktor GaSb telah ditumbuhkan dengan metoda MOCVD vertikal pada tekanan 50 torr di atas subtsrat SI GaAs(100). Film mempunyai type p dengan permukaan yang cukup homogen serta orientasi film didominasi (200). Film yang ditumbuhkan pada temperatur 520 oC dengan rasio V/III=1 mempunyai mobilitas 68,57 cm2/Vs dan konsentrasi 1,9 x 1018 cm−3. Metal Semikonduktor Metal (MSM) Al-pGaSb telah dibuat menggunakan dua metoda, yaitu metoda sederhana evaporasi dengan luas kontak 0,02 cm2 dan metoda UV litografi dengan luas kontak 0,009 cm2. MSM bersifat ohmik kontak dengan resistansi spesifik Rc menurun terhadap luas kontak yang digunakan.
Keywords
GaSb; MOCVD; MSM
Full Text:
PDFReferences
C. Touzi, F. Omnes, T. Boufaden, P. Gibart, and B. El Jani,
”Realisation of ’Solar Blind’ AlGaN Photodetectors: Measured
and calculated spectral response”, Microelectronics Journal, 37,
(2006)
P.C. Chang, C.H. Chen, S.J. Chang, Y.K. Su, C.L. Yu, B.R.
Huang, and P.C. Chen, ”High UV/visible rejection contrast
AlGaN/GaN MIS photodetectors”,Thin Solid Films, 498, 133
(2006)
M. Razeghi and A. Rogalski, Semiconductor Ultraviolet detector,
J. Appl. Phys., 79,10 (1996)
J. Shin, A. Verma, G.B. Stringfellow and R.W. Gedridge Jr., J. J.
Crystal Growth, 151 (1995)
DOI: http://dx.doi.org/10.12962%2Fj24604682.v2i2.987
Refbacks
- There are currently no refbacks.